當前位置:首頁 > 產(chǎn)品中心 > 太赫茲 > 太赫茲晶體 > LiNbO3鈮酸鋰晶體 波前傾斜太赫茲發(fā)生器
簡要描述:鈮酸鋰晶體 波前傾斜太赫茲發(fā)生器鈮酸鋰(LiNbO3)晶體作為一種應用廣泛的光學材料,它優(yōu)良的電光、聲光、壓電、熱電和非線性光學特性使得鈮酸鋰晶體可以被廣泛的應用于電/聲光器件、高溫聲波傳感器、電光調制器(譜克爾盒)、頻率轉換器件、太赫茲產(chǎn)生器件等等。
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品牌 | 其他品牌 | 產(chǎn)地類別 | 進口 |
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應用領域 | 電子 |
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產(chǎn)品簡介 >> 波前傾斜強場太赫茲系統(tǒng)原理介紹
鈮酸鋰(LiNbO3)晶體作為一種應用廣泛的光學材料,它優(yōu)良的電光、聲光、壓電、熱電和非線性光學特性使得鈮酸鋰晶體可以被廣泛的應用于電/聲光器件、高溫聲波傳感器、電光調制器(譜克爾盒)、頻率轉換器件、太赫茲產(chǎn)生器件等等。
一束波前傾斜的飛秒光束照射在特定切割角度的鈮酸鋰(LiNbO3)晶體上產(chǎn)生太赫茲輻射,太赫茲光束垂直于波前。當太赫茲的波速和激發(fā)光波速相等時,相位匹配條件便達成,同時鈮酸鋰晶體中THz轉換效率得到最大的提高。
鈮酸鋰(LiNbO3)產(chǎn)品規(guī)格:(用于波前傾斜強場太赫茲系統(tǒng))
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r 51 =28
型號 | 參數(shù) | 晶體立體圖 | ||||||
SLN-8-4.5-3-3 | · Size 3x3x4.5x8 mm · Wedge angle 63° · Surface λ/4 at 633 nm · Coating AR at 800nm, R<0.25% on one side · MgO concentration 0.6%-1% | |||||||
· MgO:LiNbO3 stoichiometric crystal 0.6%-1% · Wedge angle 63° · Coating AR at 800nm, R<0.25% on one side · MgO:LiNbO3 stoichiometric crystal 0.6% -1% · Wedge angle 63° · Coating AR at 800nm, R<0.25% on one side 晶格結構: | 密度: | 比熱: | 帶隙 (300 K): | 硬度 | SAW 速度 | 熔點 |
電光系數(shù),pm/V | r 33 =30.8 |
r 22 =3.4 | ||||||||
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